Näita mobiiliversiooni

Liigu sisu juurde Liigu peamenüü juurde

Avaleht / Raamatud / Teadus / Füüsika ja matemaatika / Photo-induced Defects in Semiconductors

Raamat

Photo-induced Defects in Semiconductors

Autor: David Redfield (Stanford University, California), Richard H. Bube (Stanford University, California)

* * * * * * * * * * Loe arvustusi (0)

Toode pole saadaval

Sisukirjeldus

This is the first book to give a complete overview of the properties of deep-level, localized defects in semiconductors. These metastable defects exhibit complex interactions with the surrounding material, and can significantly affect the performance and stability of certain semiconductor devices.

Lisainfo
ISBN 9780521461962
Ilmumisaasta 1996
Keel ingliskeelne
Formaat Kõvakaaneline
Lehekülgi 230 lk
Kirjastus CAMBRIDGE UNIVERSITY PRESS
Lisamise aeg: 11.05.2020

Toode pole saadaval

Kategooria TOP

Arvustused (0)
Suhtlusvõrkude arvustused

Klienditugi

Kõnedele vastatakse E-P 8-21
+372 671 3659

Kirjadele vastatakse E-R 9-17
epood@rahvaraamat.ee

Tasuta püsikliendiks registreerumine

Rahva Raamatu püsikliendina saad meie kauplustes püsivalt 5% allahindlust ning ennast kurssi viia raamatuuudistega:

Vabandame! Teie veebilehitseja on liiga väike meie kodulehe külastamiseks.

We're sorry! Your browser is too small for this website.

Приносим извинения! Размеры вашего браузера слишком малы для посещения нашей страницы.