Näita mobiiliversiooni

Liigu sisu juurde Liigu peamenüü juurde

Avaleht / Raamatud / Tehnika / Üldtehnika / Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors

Raamat

Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors

Autor: Farzan Jazaeri (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne), Jean-Michel Sallese (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne)

* * * * * * * * * * Loe arvustusi (0)

172.66 164.03 €Toodet on alles vähem kui 10 eksemplari!

Kaup kätte: Kiirtellimusega: reede 16.11

Sisukirjeldus

The first of its kind, this is a detailed introduction to this new and fast-developing field. It covers the design, modeling, and operation of junctionless field effect transistors (FETs), as well as advantages and limitations. It is Ideal for graduate students and researchers working in semiconductor nanotechnology.

Lisainfo
ISBN 9781107162044
Ilmumisaasta 2018
Keel ingliskeelne
Formaat Kõvakaaneline
Lehekülgi 252 lk
Kirjastus CAMBRIDGE UNIVERSITY PRESS
Lisamise aeg: 01.08.2018

172.66 164.03 €Toodet on alles vähem kui 10 eksemplari!

Kaup kätte: Kiirtellimusega: reede 16.11

Arvustused (0)
Suhtlusvõrkude arvustused

Vabandame! Teie veebilehitseja on liiga väike meie kodulehe külastamiseks.

We're sorry! Your browser is too small for this website.

Приносим извинения! Размеры вашего браузера слишком малы для посещения нашей страницы.